K离子通道的开关
mutagenesis)的方法研制了这个问题，一个荧光发色基团被粘附于蛋白的单个Cys上，荧光强度依赖于基团周围的环境。当膜发生去极化，被标记的Cys产生移动时，相应产生的荧光变化就可能被测量。 Gandhi et al.在K离子通道激活过程中，通过测量△F扫描了S4区段，他们发现S4的残基根据△F动力学能分为三类，一类在通道激活时发生作用，一类在通道激活和延迟去极化中发生的缓慢失活过程中起作用。第三类仅感应通道缓慢失活。 Gandhi et al.在对孔结构域进行类似的扫描也发现了类似的三类残基，研究者认为孔结构域在激活时观察到的荧光改变是由于邻近的S4作用导致，这表明，通道开通时跨膜螺旋与孔结构域之间有直接的相互作用。
而且，△F动力学发现在去极化和复极化中发生作用的残基并不是对称的，说明当S4回到原始位置时，这些残基遇到了不同的环境，作者认为，这符合实际情况因为通道发生缓慢失活是由通道结构发生了整体性重排所至。这种重排影响了孔结构域和S4区段，而且被认为在复极化时稳定了失活的通道关闭状态。
这篇文章标记着关于通道开放过程中，原子水平相互作用的研究已经展开了。
相关文章：
ORIGINAL RESEARCH PAPER Gandhi, C. S. et al. Reconstructing voltage sensor–pore interaction
from a fluorescence scan of a voltage-gated K+ channel. Neuron 27,585– 595 (2000) [ Contents page] PubMed
FURTHER READING
Ji, B. A.
& Jan, L. Y. Taking apart the gating of voltage-gated K+ channels. Neuron 27, 423–425 ( 2000) [Contents page] PubMed
Horn, R. A new twist in the
saga of charge movement in voltage-dependent ion channels . Neuron 25,511–514 (2000) [ Contents page] PubMed, http://www.100md.com
而且，△F动力学发现在去极化和复极化中发生作用的残基并不是对称的，说明当S4回到原始位置时，这些残基遇到了不同的环境，作者认为，这符合实际情况因为通道发生缓慢失活是由通道结构发生了整体性重排所至。这种重排影响了孔结构域和S4区段，而且被认为在复极化时稳定了失活的通道关闭状态。
这篇文章标记着关于通道开放过程中，原子水平相互作用的研究已经展开了。
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& Jan, L. Y. Taking apart the gating of voltage-gated K+ channels. Neuron 27, 423–425 ( 2000) [Contents page] PubMed
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