彭斌 李舜伟 黄席珍 汤晓芙 吴全有 罗英

    彭斌 李舜伟 汤晓芙 中国医学科学院中国协和医科大学北京协和医院神经科 100730；黄席珍 吴全有 罗英 呼吸内科睡眠呼吸监测中心 中华神经科杂志 1999 0 32 6


    关键词：阻塞性睡眠呼吸暂停综合征；事件相关电位；P3 期刊 zhsjkzz 0 论著摘要 fur -->


    

【摘要 】 目的 研究阻塞性睡眠呼吸暂停患者事件相关电位P3的变化，探讨可能的机制。方法 入组受试者分为阻塞性睡眠呼吸暂停患者组(n=30)及正常对照组(n=30)，均进行睡眠多导仪、听觉诱发事件相关电位(P3)、临床记忆量表检查及神经系统查体。结果采用t检验和Spearman等级相关分析。结果 阻塞性睡眠呼吸暂停患者组记忆商(MQ)为90±12，P3潜伏期为(359±30)毫秒(Fz记录点)，(365±31) 毫秒(Cz 记录点)；正常对照组MQ为104±16，P3潜伏期为(337±29)毫秒 (Fz 记录点)，(339±31)毫秒 (Cz记录点)。阻塞性睡眠呼吸暂停患者组与正常对照组的P3潜伏期和记忆商差异存在显著性意义(P<0.05)。结论 阻塞性睡眠呼吸暂停患者有认知功能损害，夜间低氧血症可能起重要作用。

Abnormal P3 latency inobstructive sleep apnea syndrome

PENG Bin, LI Shunwei, HUANG Xizhen, et al.

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