低剂量电离辐射对DNA拓朴异构酶Ⅱα表达的作用
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目的 探讨低剂量电离辐射引起DNA拓扑异构酶Ⅱα(TOPOⅡα)的表达变化。方法 用免疫细胞化学染色和Western blot的方法，检测了Hela细胞在1Gyγ-射线照射后的时间效应和1-5Gy的剂量效应，以及小剂量的多次累积效应。结果 1Gyγ-射线照射后4小时TOPOⅡα开始下降，12小时降为最低，16小时开始回升；在1-5Gy时，随剂量增加，TOPO IIα的表达下降逐渐明显；且较小剂量具多次累积效应。结论 低剂量的电离辐射引起的TOPO IIα的表达变化具时间效应，剂量效应和多次累积效应。TOPO IIα的表达变化可能与染色体的不分离有关。
目的 探讨低剂量电离辐射引起DNA拓扑异构酶Ⅱα(TOPOⅡα)的表达变化。方法 用免疫细胞化学染色和Western blot的方法，检测了Hela细胞在1Gyγ-射线照射后的时间效应和1-5Gy的剂量效应，以及小剂量的多次累积效应。结果 1Gyγ-射线照射后4小时TOPOⅡα开始下降，12小时降为最低，16小时开始回升；在1-5Gy时，随剂量增加，TOPO IIα的表达下降逐渐明显；且较小剂量具多次累积效应。结论 低剂量的电离辐射引起的TOPO IIα的表达变化具时间效应，剂量效应和多次累积效应。TOPO IIα的表达变化可能与染色体的不分离有关。
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