瑞士Kenrli 800毫安X线机高压初级可控硅电路故障分析与检修
作者：倪庆忠 吴铭
单位：214044 无锡，解放军第一0一医院放射线科
关键词：
中华放射学杂志990225 故障现象：本机曝光控制有手动控制与电离室自动控制两种方式。当采用手动曝光档时，曝光时间预置在0.01秒至0.07秒时间段，实际曝光时间为0.2秒。当曝光时间置0.09秒以上时，曝光时间递增0.01秒，实际曝光时间在0.2秒基础上递增0.01秒。当使用自动曝光档时，实际曝光时间比显示的曝光时间长0.12秒，从而影响照片质量。
图1 各测试点信号波形图(t=0.1秒)
故障分析与检修：本机的曝光限时器是晶振式限时器，其曝光时间控制十分精确。首先判断晶振式限时器是否有故障。采用手动曝光档，曝光时间置0.1秒，从电路原理图中可以分析出(参见随机u33.3图)，曝光时，限时器输出一个12V负脉冲至u33板的C14端，用示波器测量u33板上的MP1、MP2曝光时间控制脉冲监测端，测得信号波形如图1a所示，曝光时控脉冲宽度与预置的曝光时间一致，说明限时器工作正常。其次判断高压初级可控硅工作是否正常。曝光时间控制脉冲经IC4延时，得到如图1b的波形脉冲，再经IC5反相后，从IC5的4端测得脉冲波形如图1c所示，此脉冲输入IC6的9端，IC6的10端测得脉冲波形如图1d所示。此脉冲出现时，场效应管T3、T4导通，经过变压器M5触发可控硅Th2导通。高压初级经Th2在R5上加上一个少量负载，称为预磁。其目的是避免高压初级线圈瞬时加上很高的负载而导致击穿。Th2导通后，在电阻R5上产生一个电压降，从电路原理图可以看出(参见随机14CA2图)，此电压信号(预磁信号)输入u33板a7、a9端，从电路原理图可以看到(参见随机u33.3图)，a7、a9上的电压信号经光耦OC2，在R2上产生一个+12 V高电平信号，经IC4延时，IC5反相，IC6的11端输出如图1e所示的脉冲。此脉冲的出现，场效应管T2、T3导通，触发主可控硅Th1导通。R5被短路，a7、a9两端高电平信号消失，从光耦OC2的4端测得的信号波形如图1f所示。说明Th1、Th2导通正常。曝光时间误差可能发生在主可控硅关断电路，分析电路原理图可以得出(参见随机u33.3图)，曝光时间控制脉冲经IC4、IC5，在IC6的3端出现如图1g的主可控硅关断脉冲。此脉冲出现，可控硅Th3触发导通。开机时，从IC6的4端测得的波形如图1h，说明开机时Th4导通，由电路原理图可以看出(参见随机14CA2图)，从变压器M6输出300V电压经n2整流，经C7滤波，向C6充电至400V，当可控硅Th3导通时，电容C6经Th1、Th2、Th3放电，致使Th1、Th2截止，曝光停止。据此，故障发生在Th3或Th4上。测量C6两端电压发现仅为120 V，确定Th4故障，致使C6两端电压低，而使Th1、Th2在C6放电时不能及时关断，用国产KZQ 90A，1 200 V可控硅模块代替进口可控硅模块，机器曝光恢复正常。
(收稿：1998-04-29 修回：1998-10-08), 百拇医药
单位：214044 无锡，解放军第一0一医院放射线科
关键词：
中华放射学杂志990225 故障现象：本机曝光控制有手动控制与电离室自动控制两种方式。当采用手动曝光档时，曝光时间预置在0.01秒至0.07秒时间段，实际曝光时间为0.2秒。当曝光时间置0.09秒以上时，曝光时间递增0.01秒，实际曝光时间在0.2秒基础上递增0.01秒。当使用自动曝光档时，实际曝光时间比显示的曝光时间长0.12秒，从而影响照片质量。
图1 各测试点信号波形图(t=0.1秒)
故障分析与检修：本机的曝光限时器是晶振式限时器，其曝光时间控制十分精确。首先判断晶振式限时器是否有故障。采用手动曝光档，曝光时间置0.1秒，从电路原理图中可以分析出(参见随机u33.3图)，曝光时，限时器输出一个12V负脉冲至u33板的C14端，用示波器测量u33板上的MP1、MP2曝光时间控制脉冲监测端，测得信号波形如图1a所示，曝光时控脉冲宽度与预置的曝光时间一致，说明限时器工作正常。其次判断高压初级可控硅工作是否正常。曝光时间控制脉冲经IC4延时，得到如图1b的波形脉冲，再经IC5反相后，从IC5的4端测得脉冲波形如图1c所示，此脉冲输入IC6的9端，IC6的10端测得脉冲波形如图1d所示。此脉冲出现时，场效应管T3、T4导通，经过变压器M5触发可控硅Th2导通。高压初级经Th2在R5上加上一个少量负载，称为预磁。其目的是避免高压初级线圈瞬时加上很高的负载而导致击穿。Th2导通后，在电阻R5上产生一个电压降，从电路原理图可以看出(参见随机14CA2图)，此电压信号(预磁信号)输入u33板a7、a9端，从电路原理图可以看到(参见随机u33.3图)，a7、a9上的电压信号经光耦OC2，在R2上产生一个+12 V高电平信号，经IC4延时，IC5反相，IC6的11端输出如图1e所示的脉冲。此脉冲的出现，场效应管T2、T3导通，触发主可控硅Th1导通。R5被短路，a7、a9两端高电平信号消失，从光耦OC2的4端测得的信号波形如图1f所示。说明Th1、Th2导通正常。曝光时间误差可能发生在主可控硅关断电路，分析电路原理图可以得出(参见随机u33.3图)，曝光时间控制脉冲经IC4、IC5，在IC6的3端出现如图1g的主可控硅关断脉冲。此脉冲出现，可控硅Th3触发导通。开机时，从IC6的4端测得的波形如图1h，说明开机时Th4导通，由电路原理图可以看出(参见随机14CA2图)，从变压器M6输出300V电压经n2整流，经C7滤波，向C6充电至400V，当可控硅Th3导通时，电容C6经Th1、Th2、Th3放电，致使Th1、Th2截止，曝光停止。据此，故障发生在Th3或Th4上。测量C6两端电压发现仅为120 V，确定Th4故障，致使C6两端电压低，而使Th1、Th2在C6放电时不能及时关断，用国产KZQ 90A，1 200 V可控硅模块代替进口可控硅模块，机器曝光恢复正常。
(收稿：1998-04-29 修回：1998-10-08), 百拇医药