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编号:11041907
局灶性脑缺血再灌注损伤神经细胞凋亡的研究
http://www.100md.com 2005年12月1日 张正春 孔 岩 郑世营 薛寿儒 刘春风
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     摘要:目的 探讨局灶性脑缺血再灌注损伤后神经细胞凋亡和不同时间点 脑组织病理学改变及相应时间点大鼠神经功能评分的关系。方法 将成年W istar大鼠55只,随机分为脑缺血组、假手术对照组、脑缺血再灌注组,应用线栓法制备局 灶性脑缺血再灌注模型,并采用HE染色TUNEL法检测再灌注损伤后细胞凋亡情况。电镜观察 脑缺血再灌注后细胞凋亡形态的改变。结果 脑缺血再灌注0~6 h神经功 能缺损程度最重,随再灌注时间延长逐渐改善,24 h症状又有加重,提示再灌注引起继发性 脑损害。神经细胞出现坏死或凋亡与缺血程度和持续时间有关。TUNEL标记缺血1 h后再灌注 48 h之内,皮层区细胞凋亡指数(AI)随再灌注时间的延长不断增加。结论 线栓法成功制备的大鼠局灶性脑缺血再灌注模型,可用于缺血再灌注神经细胞损害及脑 保护的研究。缺血性神经原死亡经历凋亡和坏死两种途径,中度、重度缺血以坏死为主,轻度缺血以凋亡为主。

    关键词:局灶性脑缺血;再灌注损伤;神经细胞凋亡

    中图分类号:R338.2 文献标识码:A 文章编号:1673-0399(2005)06-0951-04

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