[摘要] 目的 研究腦缺血再灌注大鼠应用电针刺激对其学习记忆能力的影响，为临床治疗缺血性脑卒中提供依据。 方法 采用随机数字表法将SPF级雄性大鼠45只随机分成三组(n = 15)：模型组、电针组、假手术组。模型组及电针组制作全脑缺血再灌注损伤模型，电针组进行电针刺激，假手术组除术中不阻断大脑中动脉血流外，其余操作与模型组相同。采用Morris水迷宫对大鼠的学习记忆能力进行评估，记录其不同时间段逃避潜伏期及穿越平台次数；Nissl染色计数残存的CA1、CA3区神经元细胞数目。 结果 模型组逃避潜伏期明显长于假手术组，穿越平台次数明显多于假手术组，两组比较差异有统计学意义(P < 0.05)；电针组逃避潜伏期较模型组明显缩短，穿越平台次数较模型组明显减少 ......